用以制造溅镀披覆基板之方法，磁控管源及具有此源之溅镀室

摘要

一种磁控管源、一种磁控管处理室及一种制造具有真空电浆处理表面之基板的方法产生及运用非对称不平冲长距离磁控管磁场图案，该非对称不平冲长距离磁控管磁场图案系沿着该基板表面扫掠，以改善在经真空电浆处理之基板表面上的离子密度。该长距离磁场到达该基板表面且具有一平行于该基板表面之至少0.1高斯（最好是在1至20高斯之间）的磁场分量。该电浆处理例如可以是溅镀披覆或蚀刻。

主权项

一种制造具有一真空电浆处理表面之基板的方法，包括下列步骤：．提供一具有一靶极溅镀表面之靶极；．提供至少一具有一基板表面之基板，该至少一基板远离及相对于该靶极溅镀表面；．在该靶极溅镀表面与该基板表面间之容积中产生：a)一磁控管磁场图案，其形成一朝着该靶极溅镀表面之方向及平行该靶极溅镀表面的封闭回路，且具有从一个磁极之外区域弯至另一个磁极之内区域的隧道形状，因而使用垂直于该靶极溅镀表面之磁场的零分量之封闭轨迹以相对于该外区域来界限该内区域；b)一不平衡长距离磁场图案，其系非对称的且藉由相对于沿着该内区域之磁通量增加沿着该外区域之磁通量所产生，因而到达该基板表面之长距离磁场具有一平行于该基板表面之至少0.1高斯的磁场分量，．在该磁场图案中产生一电浆放电；．电浆处理该基板表面，藉以．使该非对称不平衡长距离磁场图案沿着该基板表面扫掠；以及提供靶极，其具有环绕靶极之轴呈圆形的靶极溅镀表面；藉由该磁控管磁场图案以圆形方式环绕一回路中心轴而形成封闭回路；选择该该呈圆形的靶极溅镀表面的半径大于该回路的半径；提供该回路中心轴从该靶极之轴偏移；提供一个极性之第一磁铁子配置，具有朝向该回路中心轴之径向延伸的部分，第二磁铁子配置会远离并且沿着该第一磁铁子配置，该第一磁铁子配置是从该靶极边缘突出的外磁铁子配置。如申请专利范围第1项之方法，其中在1G与20G之间选择平行于基板表面之磁场分量。如申请专利范围第1项之方法，进一步包括以该隧道状磁控管磁场图案覆盖60%以上之靶极溅镀表面。如申请专利范围第3项之方法，藉此以该隧道状磁控管磁场图案覆盖85%以上之靶极溅镀表面。如申请专利范围第1项之方法，进一步包括提供一个以上之基板。如申请专利范围第5项之方法，进一步包括选择该基板为圆形或使一个以上之基板配置在一圆形区域中及使该不平衡长距离磁场图案绕着该基板或该区域之中心轴扫掠的步骤。一种磁控管源，包括：．一靶极，具有一靶极溅镀表面及一相对表面；．一磁铁配置，邻近该相对表面及具有：．至少一第一磁铁子配置；．至少一第二磁铁子配置；．该第一磁铁子配置具有一指向该相对表面之第一区域及一磁极；．该第二磁铁子配置具有一指向该相对表面之第二区域及另一磁极；．该第二区域形成一环绕及远离该第一区域之回路；．该第一区域产生一穿过该靶极溅镀表面之第一磁通量；．该第二区域产生一穿过该靶极溅镀表面之第二磁通量；．该第二磁通量大于该第一磁通量；．该第二磁通量沿着该第二区域不均匀地分布；．一扫掠配置沿着该溅镀表面移动至少该不均匀分布磁通量；以及其中，该靶极溅镀表面环绕靶极之轴呈圆形；该第一磁铁子配置之该第一区域环绕中心轴呈圆形；该呈圆形之靶极溅镀表面的半径小于该第二区域的半径；该中心轴相对于该靶极之轴偏移；并且其中该第一磁铁子配置具有一个极性以及具有朝向该中心轴呈径向延伸的部分，并提供一第二磁铁子配置，其会远离并且沿着第一磁铁子配置其中，该第一磁铁子配置是从该靶极边缘突出的外部磁铁子配置。一种磁控管处理室，包括如申请专利范围第7项之磁控管源及一远离及相对于该磁控管源之靶极溅镀表面的基板载体。如申请专利范围第8项之磁控管处理室，进一步包括一邻近该基板载体之阳极配置。如申请专利范围第9项之磁控管处理室，进一步包括一屏蔽，其用以界限该磁控管源与该基板载体间之处理区域及系电性浮接或处于一阳极电位。如申请专利范围第9项之磁控管处理室，其中该阳极系隐藏于一屏蔽配置后面及相对于处理空间来隐藏。如申请专利范围第8项之磁控管处理室，进一步包括至少一线圈，其具有一垂直于该磁控管源之靶极溅镀表面的线圈轴。如申请专利范围第8项之磁控管处理室，其中该基板载体系电性浮接或可连接至一预定偏压电位。