制造双载子电晶体的方法

摘要

本发明揭示一种于一第一沟渠(11)中制造一双载子电晶体的方法，其中仅应用形成一第一沟渠(11)以及一第二沟渠(12)之一个微影遮罩。形成一集极区域(21)，其系自对准于该第一沟渠(11)以及该第二沟渠(12)中。形成一基极区域(31)，其系自对准于该集极区域(21)之一部份上，其中该集极区域系于该第一沟渠(11)中。形成一射极区域(41)，其系自对准于该基极区域(31)之一部份上。于该第二沟渠(12)中形成一针对该集极区域(21)之接触，且于该第一沟渠(11)中形成一针对该基极区域(31)之接触。该双载子电晶体之制造可整合于一标准CMOS制程中。

主权项

一种用以制造一双载子电晶体之方法，该方法包括：－于一半导体基板(1)上提供一层堆叠，该层堆叠包括于该半导体基板(1)上之一第一绝缘层(2)、于该第一绝缘层(2)上之一第一半导体层(3)、于该第一半导体层(3)上之一第二绝缘层(4)、以及于该第二绝缘层(4)上之一第二半导体层(5)；－于该层堆叠以及该半导体基板(1)之一部份中形成一第一沟渠(11)以及一第二沟渠(12)，其中该第一沟渠(11)以及该第二沟渠(12)系由一突出物(14)所分开，该突出物(14)包括该层堆叠之一部份以及该半导体基板(1)之一第一部份；－移除该半导体基板(1)之该第一部份，从而于该第一沟渠(11)与该第二沟渠(12)间产生一渠间通道区域(18)，其中该渠问通道区域(18)会曝露该半导体基板(1)之一部份；－于该半导体基板(1)之曝露部份上形成一集极区域(21)，以及于该第一半导体层(3)与该第二半导体层(5)之曝露部份上形成一密封区域(22)，两区域皆包括一半导体材料，其中该集极区域(21)会填充该渠间通道区域(18)，而该密封区域(22)会密封该第二沟渠(12)；－形成一基极区域(31)，其于该第一沟渠(11)中之集极区域(21)的一部份上延伸；－于该第一沟渠(11)中形成间隔物(25)，从而于该第一沟渠(11)中形成该集极区域(21)之一曝露部份；以及－于该第一沟渠(11)中之集极区域(21)的曝露部份上形成一射极区域(41)。如请求项1之方法，其进一步包含以下步骤：－移除该密封区域(22)；以及－于该第二沟渠(12)中之集极区域(21)的曝露部份上形成一集极接触(33)。如请求项2之方法，其进一步包含以下步骤：－于该基极区域(31)之一部份上形成一基极接触(32、42)，其系于该第一沟渠中之该集极区域(21)上延伸。如请求项2之方法，其中该基极区域(31)亦于该突出物(14)上延伸，且其进一步包括以下步骤：－于该基极区域(31)之一部份上形成一基极接触(52)，其系于该突出物(14)上。如请求项1之方法，其中该半导体基板(1)、该第一绝缘层(2)以及该第一半导体层(3)系含括于一绝缘物上矽基板(Silicon－On－Insulator)中。如请求项1之方法，其中该方法系整合于一CMOS制程中，其中形成一CMOS装置，其包括一闸极介电质，该闸极介电质包括该第二绝缘层(4)，以及一闸极电极，该闸极电极包括该第二半导体层(5)。