晶片封装结构及其制作方法

摘要

本发明系提供一种晶片封装结构及其制作方法，其系包括一半导体基底，且位在半导体基底上方之一保护层内的一第一开口与一第二开口分别暴露出一第一接垫与一第二接垫，以及一贴带与一含锡金属层、一贴带与一打线导线或一含锡金属层与一打线导线分别透过第一开口与第二开口连接至第一接垫与第二接垫，或是利用异方性导电胶使第一接垫与一外部电路电性连接，且一含锡金属层或一打线导线透过第二开口连接至第二接垫。

主权项

一种线路元件，包括：玻璃基板；软板，包括聚合物材料；被动元件；以及半导体晶片，包括半导体基底、位于该半导体基底上方的线路结构、位于该线路结构上方的介电层、位于该介电层上方的数个含铝接垫、位于该线路结构及该介电层上方的保护层以及位于该保护层上方的数个金属接垫，其中该线路结构包括材质为铜的金属线路层，该介电层的厚度小于3微米，该保护层接触每一该等含铝接垫的上表面及侧壁，该保护层含有氮矽化合物、氮氧矽化合物或氧矽化合物，每一该等金属接垫包括黏着/阻障层以及位于该黏着/阻障层上方的第一金属层，该黏着/阻障层没有接触该第一金属层的侧壁，该等金属接垫中的第一金属接垫连接该玻璃基板的接垫，且该第一金属接垫经由位于该保护层内的第一开口连接该等含铝接垫中的第一含铝接垫，该第一金属接垫位于该保护层与该玻璃基板的该接垫之间，该第一金属接垫的顶部没有包括或接触锡金属，该第一金属接垫没有经由锡金属连接该玻璃基板的该接垫，该等金属接垫中的第二金属接垫连接该被动元件，且该第二金属接垫经由位于该保护层内的第二开口连接该等含铝接垫中的第二含铝接垫，该等金属接垫中的第三金属接垫连接该软板，且该第三金属接垫经由位于该保护层内的第三开口连接该等含铝接垫中的第三含铝接垫。如申请专利范围第1项所述之线路元件，其中该等金属接垫的顶端均包括金。如申请专利范围第1项所述之线路元件，其中每一该等金属接垫还包括位于该黏着/阻障层与该第一金属层之间的第二金属层，该第一金属层接触该第二金属层的上表面，该第一金属层的厚度介于8微米至35微米之间，该第二金属层的厚度介于0.005微米至2微米之间。如申请专利范围第1项所述之线路元件，其中该第一金属接垫、该第二金属接垫以及该第三金属接垫三者具有相同的组成结构。如申请专利范围第1项所述之线路元件，其中该半导体晶片还包括位于该保护层上的聚合物层，且该等金属接垫还位于该聚合物层的上方。如申请专利范围第1项所述之线路元件，其中该第一金属层为铜层。如申请专利范围第6项所述之线路元件，其中该铜层的厚度介于8微米至35微米之间。如申请专利范围第6项所述之线路元件，其中每一该等金属接垫还包括金层，且该金层位于该铜层上方。如申请专利范围第8项所述之线路元件，其中该金层的厚度介于0.1微米至2微米之间。如申请专利范围第8项所述之线路元件，其中每一该等金属接垫还包括镍层，且该镍层位于该铜层与该金层之间。如申请专利范围第1项所述之线路元件，其中该第一金属层的厚度介于8微米至35微米之间。如申请专利范围第1项所述之线路元件，其中该第一金属层包括金层。如申请专利范围第1项所述之线路元件，其中该黏着/阻障层包括钛、氮化钛、钛钨合金、钽、氮化钽、铬或铬铜合金。如申请专利范围第1项所述之线路元件，还包括含锡金属，且该第二金属接垫经由该含锡金属连接该被动元件。如申请专利范围第14项所述之线路元件，其中该等金属接垫的顶端均包括金。如申请专利范围第1项、第14项或第15项所述之线路元件，还包括异方性导电胶，且该第一金属接垫经由该异方性导电胶内的金属粒子连接该玻璃基板的该接垫。如申请专利范围第1项所述之线路元件，其中该玻璃基板的该接垫含有铟锡氧化物。如申请专利范围第1项所述之线路元件，其中该等金属接垫接触该保护层的上表面，该第一金属接垫位于该第一含铝接垫上方，该第二金属接垫位于该第二含铝接垫上方，该第三金属接垫位于该第三含铝接垫上方。如申请专利范围第1项所述之线路元件，还包括另一半导体晶片，且该等金属接垫中的第四金属接垫连接该另一半导体晶片。一种线路元件，包括：玻璃基板；软板，包括聚合物材料；被动元件；以及半导体晶片，包括半导体基底、位于该半导体基底上方的线路结构、位于该线路结构上方的介电层、位于该介电层上方的数个含铝接垫、位于该线路结构及该介电层上方的保护层、位于该保护层及该等含铝接垫上方的数条金属线路以及位于该等金属线路上的数个金属接垫，其中该线路结构包括材质为铜的金属线路层，该介电层的厚度小于3微米，该保护层接触每一该等含铝接垫的上表面及侧壁，该保护层含有氮矽化合物、氮氧矽化合物或氧矽化合物，每一该等金属线路包括第一金属层，每一该等金属接垫包括第二金属层，该等金属线路中的第一金属线路经由位于该保护层内的第一开口连接该等含铝接垫中的第一含铝接垫，该等金属线路中的第二金属线路经由位于该保护层内的第二开口连接该等含铝接垫中的第二含铝接垫，该等金属线路中的第三金属线路经由位于该保护层内的第三开口连接该等含铝接垫中的第三含铝接垫，该等金属接垫中的第一金属接垫连接该玻璃基板的接垫，并且经由该第一金属线路连接该第一含铝接垫，该第一金属接垫位于该保护层与该玻璃基板的该接垫之间，该第一金属接垫的顶部没有包括或接触锡金属，该第一金属接垫没有经由锡金属连接该玻璃基板的该接垫，该等金属接垫中的第二金属接垫连接该被动元件，并且经由该第二金属线路连接该第二含铝接垫，该等金属接垫中的第三金属接垫连接该软板，并且经由该第三金属线路连接该第三含铝接垫。如申请专利范围第20项所述之线路元件，其中该等金属接垫的顶端均包括金。如申请专利范围第20项所述之线路元件，其中每一该等金属接垫还包括位于该第二金属层下方的第三金属层，该第二金属层接触该第三金属层的上表面，该第二金属层的厚度介于8微米至35微米之间，该第三金属层的厚度介于0.005微米至2微米之间，该第三金属层没有接触该第二金属层的侧壁。如申请专利范围第20项所述之线路元件，其中该第一金属接垫、该第二金属接垫以及该第三金属接垫三者具有相同的组成结构。如申请专利范围第20项所述之线路元件，其中该半导体晶片还包括位于该保护层上的聚合物层，且该等金属线路还位于该聚合物层上。如申请专利范围第20项所述之线路元件，其中该半导体晶片还包括位于该保护层及该等金属线路上方的聚合物层，该聚合物层接触该等金属线路的上表面及侧壁。如申请专利范围第20项所述之线路元件，其中该第一金属线路经由位于该保护层内的第四开口连接该等含铝接垫中的第四含铝接垫，该第一金属接垫经由该第一金属线路连接该第四含铝接垫，该第一含铝接垫经由该第一金属线路连接该第四含铝接垫。如申请专利范围第20项所述之线路元件，其中该第三金属线路为电源汇流排，且该电源汇流排连接该保护层下的电源线路。如申请专利范围第20项所述之线路元件，其中该第二金属层为铜层。如申请专利范围第28项所述之线路元件，其中该铜层的厚度介于8微米至35微米之间。如申请专利范围第28项所述之线路元件，其中每一该等金属接垫还包括金层，且该金层位于该铜层上方。如申请专利范围第30项所述之线路元件，其中该金层的厚度介于0.1微米至2微米之间。如申请专利范围第30项所述之线路元件，其中每一该等金属接垫还包括镍层，且该镍层位于该铜层与该金层之间。如申请专利范围第20项所述之线路元件，其中该第二金属层的厚度介于8微米至35微米之间。如申请专利范围第20项所述之线路元件，其中该第二金属层包括金层。如申请专利范围第20项所述之线路元件，其中每一该等金属接垫还包括位于该第二金属层下方的黏着/阻障层，该黏着/阻障层包括钛、氮化钛、钛钨合金、钽、氮化钽、铬或铬铜合金。如申请专利范围第20项所述之线路元件，还包括含锡金属，且该第二金属接垫经由该含锡金属连接该被动元件。如申请专利范围第36项所述之线路元件，其中该等金属接垫的顶端均包括金。如申请专利范围第20项、第36项或第37项所述之线路元件，还包括异方性导电胶，且该第一金属接垫经由该异方性导电胶内的金属粒子连接该玻璃基板的该接垫。如申请专利范围第20项所述之线路元件，其中该玻璃基板的该接垫含有铟锡氧化物。如申请专利范围第20项所述之线路元件，其中该等金属线路接触该保护层的上表面。如申请专利范围第20项所述之线路元件，其中该第一金属层的厚度介于2微米至20微米之间。如申请专利范围第20或41项所述之线路元件，其中该第一金属层包括铜层。如申请专利范围第20项所述之线路元件，其中该第一金属层包括金层。如申请专利范围第1项所述之线路元件，还包括另一半导体晶片，且该等金属接垫中的第四金属接垫连接该另一半导体晶片。如申请专利范围第20项所述之线路元件，其中该第一金属层包括铜层，该第二金属层包括金层。