利用植入之杂质分离半导体晶圆为个别半导体晶粒之方法

摘要

本发明提供一种用于分离一半导体晶圆为个别半导体晶粒之方法。除了其他步骤，用于分离该半导体晶圆之方法可包含将一杂质植入至该半导体晶圆接近半导体晶粒相互结合之接面处的区域中，该杂质经构形以打断在该半导体晶圆中接近该等接面处之键合，并造成弱化区域。该方法可进一步包含在置放该杂质至该等区域中后，移除该半导体晶圆之一相反表面之部分。用于分离该半导体晶圆之该方法可额外地包含沿该等弱化区域将具有该杂质及该等经移除区域之半导体晶圆分离成个别半导体晶粒。

主权项

一种用于分离一半导体晶圆为个别半导体晶粒之方法，包括：置放一杂质至一半导体晶圆之一表面之接近半导体晶粒相互结合之多个接面处的多个区域中，其中该杂质经构形以打断在该半导体晶圆中接近该等接面处之各键合并造成多个弱化区域；在置放该杂质至该半导体晶圆之该等区域中后，移除该半导体晶圆之一相反表面之至少一部分；及沿该等弱化区域将具有该杂质及该经移除部分之该半导体晶圆分离成个别半导体晶粒，其中分离该半导体晶圆包含利用机械应力，热应力或声应力分离该半导体晶圆。如请求项1之方法，其中置放一杂质包含植入若干稀有气体离子至该等区域中。如请求项1之方法，其中该等区域具有一小于约5微米之宽度。如请求项1之方法，其中该杂质系穿过抗蚀剂中之若干开口而被置放至该半导体晶圆中。如请求项1至方法，其中该杂质被置放在该半导体晶圆中之若干刻划道内。如请求项1之方法，其中该相反表面中之该等经移除部分之至少一部分在位置上系大体上对应于该表面中之该等弱化区域。如请求项1之方法，其中分离该半导体晶圆包含利用一滚筒产生该机械应力以分离该半导体晶圆。如请求项1之方法，其中该等区域具有一小于约1微米之宽度。如请求项1之方法，其中该等区域具有一宽度其明显小于一锯刀片或刻划工具之一宽度。一种用于分离一半导体晶圆为个别半导体晶粒之方法，包括：置放一杂质至一半导体晶圆之一表面之接近半导体晶粒相互结合之多个接面处的多个区域中，其中该杂质经构形以打断在该半导体晶圆中接近该等接面处之各键合并造成多个弱化区域，其中该等区域具有一宽度其明显小于一锯刀片或刻划工具之一宽度；在置放该杂质至该半导体晶圆之该等区域中后，移除该半导体晶圆之一相反表面之至少一部分；及沿该等弱化区域将具有该杂质及该经移除部分之该半导体晶圆分离成个别半导体晶粒。