发明名称 碳黑及制造彼碳黑之多阶方法
摘要 叙述以多阶产生碳黑的方法。也叙述形成自该方法的碳黑。
申请公布号 TWI376402 申请公布日期 2012.11.11
申请号 TW094114420 申请日期 2005.05.04
申请人 客宝公司 发明人 尤可E 库斯维司奇;威廉L 史弗利;夏登B 戴维斯;法兰科斯M 泰瑞德;葛格瑞T 葛德
分类号 C09C1/50 主分类号 C09C1/50
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项 一种制备碳黑产物的方法,其包含在第一温度区域中形成基本上由第一碳黑所组成之前驱物,然后导入碳黑产生进料至该前驱物中,然后在第二温度区域中,中止反应区域(quench zone)之前,形成该碳黑产品,其中该第一温度区域及第二温度区域具有温度差(△)200℃或更多。如请求项1之方法,其中该温度差为300℃或更多。如请求项1之方法,其中该温度差系自200℃至900℃。如请求项1之方法,其中该温度差系自400℃至700℃。如请求项1之方法,其中该温度差至少一部份是藉由在第一及第二温度区域之间的水套管、水喷雾及/或蒸气所获得。如请求项1之方法,其中在形成该前驱物及导入该碳黑产生进料之间无中止反应发生。如请求项1之方法,进一步包含在该中止反应区域之前导入至少一个含至少一个IA族元素的物质,及/或在该中止反应区域之前导入至少一个含至少一个IA族或IIA族元素的物质,及/或在该第一温度区域中导入至少一个含至少一个IA族或IIA族元素的物质,及/或在该前驱物形成期间导入至少一个含至少一个IA族或IIA族元素的物质,及/或在该前驱物形成之前导入至少一个含至少一个IA族或IIA族元素的物质,及/或在该第一温度区域中导入至少一个含至少一个IA族元素的物质,及/或在该前驱物形成期间导入至少一个含至少一个IA族元素的物质,及/或在该前驱物形成之前导入至少一个含至少一个IA族元素的物质。如请求项7之方法,其中该物质是一种含至少一个IA族或IIA族元素的化合物。如请求项1至8中任一项之方法,进一步包含在导入该碳黑产生进料之前,进行一部份中间的中止反应。
地址 美国