发明名称 METHOD OF FORMING A PHASE-CHANGE MATERIAL LAYER PATTERN, METHOD OF MANUFACTURING A PHASE-CHANGE MEMORY DEVICE AND SLURRY COMPOSITION USED FOR THE METHODS
摘要
申请公布号 KR101198100(B1) 申请公布日期 2012.11.09
申请号 KR20070128365 申请日期 2007.12.11
申请人 发明人
分类号 H01L27/115;B24B37/00;H01L21/304;H01L27/105;H01L45/00 主分类号 H01L27/115
代理机构 代理人
主权项
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