Halbleitervorrichtung und Verfahren zur Verbindung eines niederohmigen Dünnschichtwiderstandes

摘要

Die Erfindung bezieht sich auf eine Halbleitervorrichtung und ein Verfahren zur Herstellung einer elektronischen Vorrichtung. Eine erste leitende Schicht (erste Metallverbindungsschicht) wird abgeschieden. Eine Isolationsschicht (erste dielektrische Zwischenmetallschicht) wird abgeschieden. Eine Widerstandsschicht wird auf der Isolationsschicht abgeschieden und strukturiert, um als Dünnschichtwiderstand zu dienen. Eine zweite Isolationsschicht (zweites Zwischenmetalldielektrikum) wird dann auf der Widerstandsschicht abgeschieden. Eine erste Öffnung wird in die Isolationsschichten (erstes und zweites Zwischenmetalldielektrikum) bis auf die erste leitende Schicht hinab geätzt. Eine zweite Öffnung wird in die Isolationsschichten (erstes und zweites Zwischenmetalldielektrikum) bis auf die erste leitende Schicht hinab geätzt. Eine Querschnittsebene der zweiten Öffnung ist derart angeordnet, dass sie die Widerstandsschicht des Dünnschichtwiderstandes in einer ersten Richtung zumindest teilweise überlappt.