摘要 |
Verfahren zum Programmieren eines Speicherelements, das eine Mehrzahl von Zellen aufweist, umfassend: Anlegen eines ersten Stromimpulses (204) an eine einzelne Zelle (604) des Speicherelements, wobei die Zelle (604) ein strukturelles Phasenübergangsmaterial aufweist, um Daten in der Zelle (604) zu speichern, so daß das Material in einem ersten Zustand verbleibt; und sodann Anlegen eines zweiten Stromimpulses (208, 308) an die Zelle (604), um das Material von dem ersten Zustand in einen zweiten unterschiedlichen Zustand zu verändern, wobei die Größe des zweiten Stromimpulses (208, 308) mindestens so groß ist wie die Größe des ersten Stromimpulses (204), um zu bewirken, daß das Phasenübergangsmaterial in einer von wenigstens einigen der einzelnen Zellen (604) eine Amorphisierungstemperatur (Tm) erreicht, wenn der zweite Stromimpuls (208, 308) an dieser Zelle anliegt, und die abfallende Flanke des zweiten Stromimpulses (208, 308) langsam genug ist, um zu bewirken, daß diejenige Zelle (604), welche die Amorphisierungstemperatur (Tm) erreicht hat,...
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