发明名称 Programmierung eines Phasenübergangsmaterialspeichers
摘要 Verfahren zum Programmieren eines Speicherelements, das eine Mehrzahl von Zellen aufweist, umfassend: Anlegen eines ersten Stromimpulses (204) an eine einzelne Zelle (604) des Speicherelements, wobei die Zelle (604) ein strukturelles Phasenübergangsmaterial aufweist, um Daten in der Zelle (604) zu speichern, so daß das Material in einem ersten Zustand verbleibt; und sodann Anlegen eines zweiten Stromimpulses (208, 308) an die Zelle (604), um das Material von dem ersten Zustand in einen zweiten unterschiedlichen Zustand zu verändern, wobei die Größe des zweiten Stromimpulses (208, 308) mindestens so groß ist wie die Größe des ersten Stromimpulses (204), um zu bewirken, daß das Phasenübergangsmaterial in einer von wenigstens einigen der einzelnen Zellen (604) eine Amorphisierungstemperatur (Tm) erreicht, wenn der zweite Stromimpuls (208, 308) an dieser Zelle anliegt, und die abfallende Flanke des zweiten Stromimpulses (208, 308) langsam genug ist, um zu bewirken, daß diejenige Zelle (604), welche die Amorphisierungstemperatur (Tm) erreicht hat,...
申请公布号 DE10297786(B4) 申请公布日期 2012.11.08
申请号 DE20021097786 申请日期 2002.09.11
申请人 OVONYX INC. 发明人 LOWREY, TYLER A.
分类号 G11C11/21;G11C13/00;G11C11/34;G11C11/56;G11C16/10;H01L27/10;H01L27/105;H01L45/00 主分类号 G11C11/21
代理机构 代理人
主权项
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