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Ein Hochfrequenzschaltermodul ist realisiert, bei dem eine Verschlechterung der Hochfrequenzcharakteristika reduziert wurde und genauer gesagt Oberwellenverzerrungscharakteristika verbessert wurden. Ein Hochfrequenzschaltermodul (201) weist eine Konfiguration auf, bei der ein Hochfrequenzschalter (100) und SAW-Filter (F1–F4) auf einem Mehrschichtsubstrat (101) befestigt sind. Tiefpassfilter (LPF1, LPF2) sind innerhalb des Mehrschichtsubstrats (101) gebildet. Die Anschlüsse des Hochfrequenzschalters (100) sind auf der Bodenoberfläche des Halbleitersubstrats gebildet. Der Hochfrequenzschalter (100) umfasst einen Hochfrequenzschaltungs-Masseanschluss (Gnd0) und einen Steuerschaltungs-Masseanschluss (Gnd4), das Mehrschichtsubstrat (101) umfasst in demselben eine Masseelektrode, die elektrisch mit einer Oberflächenverbindungselektrode verbunden ist, mit der der Hochfrequenzschaltungs-Masseanschluss (Gnd0) verbunden ist, und eine Verdrahtungselektrode, die elektrisch mit einer Oberflachenverbindungselektrode verbunden ist, mit der der Steuerschaltungs-Masseanschluss (Gnd4) verbunden ist, ist auf solche Weise angeordnet, um von der Masseelektrode isoliert zu sein.
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