发明名称 Kombinierter integrierter Speicher- und Logikschaltkreis und Betriebsverfahren hierfür
摘要 Kombinierter integrierter Speicher- und Logikschaltkreis mit – einem Speicherblock (300, 600) mit mehreren Speicherbänken (303, 305), die unabhängig voneinander durch Zeilenadressenabtastsignale, Spaltenadressenabtastsignale und Schreibfreigabesignale gesteuert werden, und – einem mit dem Speicherblock verbundenen Logikblock (400, 700), der für jede Speicherbank ein eigenes Zeilenadressenabtastsignal, Spaltenadressenabtastsignal und Schreibfreigabesignal während Normalbetriebphasen des kombinierten integrierten Speicher- und Logikschaltkreises erzeugt, – wobei der Speicherblock (300, 600) dem Logikblock (400, 700) Ausgabedaten (DOUT[0:k]) zuführt und der Logikblock dem Speicherblock Eingabedaten (DIN[0:k]) sowie Zeilenadressen (RADDR[0:i]) und Spaltenadressen (CADDR[0:j]) zuführt, – separate Datenpfade zur Übertragung der Eingabedaten (DIN[0:k]) und Ausgabedaten (DOUT[0:k]) zwischen dem Logikblock (400, 700) und dem Speicherblock (300, 600) vorgesehen sind, wobei die Eingabedaten (DIN[0:k]) und die Ausgabedaten (DOUT[0:k]) im Zeitmultiplexverfahren verarbeitet werden, – der Logikblock (400, 700) dem Speicherblock (300, 600) die Zeilen- und Spaltenadressen (CADDR[0:i], CADDR[0:j]) über separate Zeilen- und Spaltenadressenpfade zuführt und – eine Testsignaleingabe- und -ausgabeeinheit...
申请公布号 DE19826330(B4) 申请公布日期 2012.11.08
申请号 DE19981026330 申请日期 1998.06.12
申请人 SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. 发明人 JUNG, SEONG-OOK;JANG, MIN-HWA
分类号 G01R31/28;G11C11/00;G11C7/10;G11C7/22;G11C8/18;G11C11/34;G11C11/401;G11C11/407;G11C29/02;G11C29/48;H01L27/10 主分类号 G01R31/28
代理机构 代理人
主权项
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