| 发明名称 | 用于极紫外光刻的反射掩模 | ||
| 摘要 | 为针对EUV光刻设备的掩模的高反射率而改进EUV光刻设备的掩模，提出了用于EUV光刻的反射掩模，所述反射多层系被构造用于EUV范围内的工作波长且具有在所述工作波长处具有不同折射率实部的至少两种材料的层的层堆，其中所述多层系（V）被构造为使得当所述多层系被固定波长的EUV辐射照射且最小和最大入射角之间的角度区间高至21°时，切趾小于30％。 | ||
| 申请公布号 | CN102770806A | 申请公布日期 | 2012.11.07 |
| 申请号 | CN201080064274.7 | 申请日期 | 2010.12.17 |
| 申请人 | 卡尔蔡司SMT有限责任公司 | 发明人 | V.卡梅诺夫;S.米古拉 |
| 分类号 | G03F1/52(2012.01)I;G03F7/20(2006.01)I | 主分类号 | G03F1/52(2012.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 邸万奎 |
| 主权项 | 一种用于EUV光刻的反射掩模，所述反射掩模包括基板上的反射多层系，所述反射多层系被构造用于EUV范围内的工作波长且具有在所述工作波长处具有不同折射率实部的至少两种材料的层的层堆，其中所述多层系（V）被构造为使得当所述多层系被固定波长的EUV辐射照射且最小和最大入射角之间的角度区间高至21°时，切趾小于30％。 | ||
| 地址 | 德国上科亨 | ||