发明名称 用于等离子体腔的工艺条件感测设备
摘要 用于测量用来处理工件的等离子体腔中的等离子体工艺参数的感测设备可以包括衬底以及嵌入在衬底中的一个或多个传感器。衬底可以具有由与在等离子体腔中被等离子体处理的工件实质上相同的材料制成的表面。每个传感器可以包括由与衬底表面实质上相同的材料制成的收集器部分。收集器部分包括与衬底的表面水平的表面。传感器电子设备嵌入到衬底中且耦合到收集器部分。当衬底表面暴露于等离子体时,可以借助于(多个)传感器测量从等离子体得到的一个或多个信号。
申请公布号 CN102771194A 申请公布日期 2012.11.07
申请号 CN201180006694.4 申请日期 2011.01.11
申请人 克拉-坦科股份有限公司 发明人 E·詹森;M·孙
分类号 H05H1/46(2006.01)I;G01N27/60(2006.01)I;H01L21/205(2006.01)I 主分类号 H05H1/46(2006.01)I
代理机构 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人 姬利永
主权项 一种用于测量用来处理工件的等离子体腔中的等离子体工艺参数的感测设备,所述感测设备包括:衬底,由与在所述等离子体腔中被等离子体处理的工件实质上相同的材料制成;嵌入到所述衬底中的一个或多个传感器,其中每个传感器包括由与所述衬底实质上相同的材料制成的收集器部分,其中所述收集器部分包括与所述衬底的上表面共面的表面;以及传感器电子设备,嵌入到所述衬底且耦合到所述收集器部分。
地址 美国加利福尼亚州
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