| 发明名称 | 半导体装置及电子设备 | ||
| 摘要 | 半导体装置(1)中，FET(3)的源极和MOSFET(4)的漏极连接，且所述半导体装置(1)包括：电阻(Rgs)，一端连接于FET(3)的栅极，另一端连接于MOSFET(4)的源极；以及二极管(D1)，阳极连接于FET(3)的栅极，阴极连接于MOSFET(4)的源极。 | ||
| 申请公布号 | CN102769451A | 申请公布日期 | 2012.11.07 |
| 申请号 | CN201210134341.9 | 申请日期 | 2012.05.02 |
| 申请人 | 夏普株式会社 | 发明人 | 市川 雄二 |
| 分类号 | H03K17/687(2006.01)I | 主分类号 | H03K17/687(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 侯颖媖 |
| 主权项 | 一种半导体装置，包括常导通型第一场效应晶体管和常断开型第二场效应晶体管，其特征在于：所述第一场效应晶体管的源极和所述第二场效应晶体管的漏极连接；所述半导体装置包括：电阻，一端连接于所述第一场效应晶体管的栅极，另一端连接于所述第二场效应晶体管的源极；以及二极管，阳极连接于所述第一场效应晶体管的栅极，阴极连接于所述第二场效应晶体管的源极。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||