发明名称 一种集成功率半导体功率模块
摘要 本发明公开了一种集成功率半导体功率模块,它包括导热底板、绝缘金属基板、功率半导体芯片、温度传感器、金属插针端子、外框、盖板和金属卡环;所述导热底板焊接面和绝缘金属基板通过钎焊结合;所述绝缘金属基板和功率半导体芯片通过钎焊结合;所述绝缘金属基板和温度传感器通过钎焊结合;所述外框密封于导热底板焊接面上,金属卡环、外框、导热基板紧密配合,所述金属插针端子底部为双层金属结构,金属插针端子针身嵌在外框卡槽内;所述绝缘金属基板、功率半导体芯片、温度传感器及金属插针端子间通过铝线键合连接实现电路拓扑结构;所述盖板边缘留有金属插针端子引出口,盖板和外框紧密配合。
申请公布号 CN102097417B 申请公布日期 2012.11.07
申请号 CN201010530405.8 申请日期 2010.11.04
申请人 嘉兴斯达微电子有限公司 发明人 陈斌;刘志宏
分类号 H01L25/00(2006.01)I;H01L23/48(2006.01)I;H01L23/36(2006.01)I;H01L23/02(2006.01)I 主分类号 H01L25/00(2006.01)I
代理机构 杭州求是专利事务所有限公司 33200 代理人 沈志良
主权项 一种集成功率半导体功率模块,它包括导热底板、绝缘金属基板、功率半导体芯片、温度传感器、金属插针端子、外框、盖板和金属卡环;所述导热底板焊接面和绝缘金属基板通过钎焊结合;所述绝缘金属基板和功率半导体芯片通过钎焊结合;所述绝缘金属基板和温度传感器通过钎焊结合;所述外框密封于导热底板焊接面上,金属卡环、外框、导热基板紧密配合,其特征在于所述金属插针端子底部为双层金属结构,金属插针端子针身嵌在外框卡槽内;所述绝缘金属基板、功率半导体芯片、温度传感器及金属插针端子间通过铝线键合连接实现电路拓扑结构;所述盖板边缘留有金属插针端子引出口,盖板和外框紧密配合。
地址 314000 浙江省嘉兴市南湖区中环南路斯达路18号