选择性蚀刻和二氟化氙的形成

摘要

本发明涉及选择性蚀刻和形成二氟化氙。尤其涉及用于从二氧化硅、氮化硅、镍、铝、TiNi合金、光致抗蚀剂、磷硅酸盐玻璃、硼磷硅酸盐玻璃、聚酰亚胺、金、铜、铂、铬、氧化铝、碳化硅和其混合物选择性除去下述材料的工艺，比如：硅、钼、钨、钛、锆、铪、钒、钽、铌、硼、磷、锗、砷和其混合物。该工艺与下列重要应用相关，即用于半导体沉积腔室和半导体工具、微电动机械系统(MEMS)中的器件、以及离子注入系统的清洁或蚀刻工艺。本发明也提供通过将Xe与含氟化学品反应而形成XeF2的方法，其中，所述含氟化学品选自F2、NF3、C2F6、CF4、C3F8、SF6、从上游等离子发生器产生的含F原子的等离子体和它们的混合物。

主权项

用于相对于第二材料选择性蚀刻第一材料的工艺，包括：在腔室中提供含有第一材料和第二材料的结构；向所述腔室提供包含氙(Xe)、惰性气体和含氟化学品的蚀刻剂气体；将所述结构与所述蚀刻剂气体接触并将所述第一材料选择性地转化为挥发性物种；和从所述腔室除去所述挥发性物种；其中，所述第一材料选自硅、钼、钨、钛、锆、铪、钒、钽、铌、硼、磷、锗、砷和它们的混合物；且所述第二材料选自二氧化硅、氮化硅、镍、铝、TiNi合金、光致抗蚀剂、磷硅酸盐玻璃、硼磷硅酸盐玻璃、聚酰亚胺、金、铜、铂、铬、氧化铝、碳化硅和它们的混合物。