| 发明名称 | 化学增幅型正性光刻胶、制备方法及其在双光子精细加工中的应用 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种化学增幅型正性光刻胶，包括如下重量份数的原料：光敏染料0.0001～2份；光生酸剂0.005～10份；酸降解型树脂5～80份；溶解抑制剂0～60份；有机溶剂20～90份。本发明还公开了上述光刻胶的制备方法及应用。本发明的特点是敏化产酸体系组成简单，配制方便，在双光子激发下产酸效果确实可靠；敏化剂双光子吸收截面大，合成简单，成本低廉；以此敏化产酸体系制备出的光刻胶具有很高的加工分辨率，和很低的加工能量阈值。 | ||
| 申请公布号 | CN102768466A | 申请公布日期 | 2012.11.07 |
| 申请号 | CN201110114763.5 | 申请日期 | 2011.05.05 |
| 申请人 | 中国科学院理化技术研究所 | 发明人 | 吴飞鹏;袁浩;赵榆霞 |
| 分类号 | G03F7/039(2006.01)I;G03F7/00(2006.01)I | 主分类号 | G03F7/039(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京正理专利代理有限公司 11257 | 代理人 | 张文祎 |
| 主权项 | 化学增幅型正性光刻胶，其特征在于，它是以双光子敏化生酸体系为光致产酸组分。 | ||
| 地址 | 100190 北京市海淀区中关村北一条二号 | ||