发明名称 微纳结构D形光纤及制备方法与应用
摘要 微纳结构D形光纤,所述D形光纤为一种横截面形状为字母D型,即光纤一侧为圆形面,光纤另一侧为平面或接面,纤芯到光纤圆形面一侧的距离(半径r)为50~200微米,平面到纤芯的距离d为5~15微米;D平面上设有凹凸图案结构,凹凸图案结构是周期0.2~15um、线宽100~1000nm、深度100~400nm的一维阵列或二维网格阵列;该光纤平面一侧有强的消逝场,易受到表面结构特征和材料性质的调控。在D形光纤表面制备微纳结构的工艺,具体为利用纳米压印技术将模板结构转移到D形光纤的平面上,通过被转移的微纳结构与D型光纤平面消逝场相互作用,使光纤内部传输的光受到调制,进而实现光传感、光调致等功能。
申请公布号 CN102768381A 申请公布日期 2012.11.07
申请号 CN201210231125.6 申请日期 2012.07.04
申请人 南京大学 发明人 陆延青;林晓雯;李苏陕;钱小石;葛海雄;胡伟;徐飞
分类号 G02B6/02(2006.01)I;G02B6/024(2006.01)I;C03C25/12(2006.01)I 主分类号 G02B6/02(2006.01)I
代理机构 南京天翼专利代理有限责任公司 32112 代理人 汤志武
主权项 微纳结构D形光纤,其特征是所述D形光纤为一种横截面形状为字母D型,即光纤一侧为圆形面,光纤另一侧为平面或接近平面,纤芯到光纤圆形面一侧的距离(半径r)为50~200微米,平面到纤芯的距离d为5~15微米;D平面上设有凹凸图案结构,凹凸图案结构是周期0.2~15um、线宽100~1000nm、深度100~400nm的一维阵列或二维网格阵列;该光纤平面一侧有强的消逝场,易受到表面结构特征和材料性质的调控。
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