一种热敏指数可变的负温度系数热敏电阻

摘要

一种热敏指数可变的负温度系数热敏电阻，包括热敏电阻芯片，热敏电阻芯片由生胚膜片叠层焙烧、轧膜挤压成型，生胚膜片由包括过渡金属氧化物混合粉料的浆料流延、烘干成型，其特征在于：生胚膜片包括高B值生胚膜片和低B值生胚膜片；高B值生胚膜片包括氧化锰Mn3O450mol％；氧化钴Co3O4 35mol％；氧化铝Al2O3 10mol％；氧化钛TiO25mol％；低B值生胚膜片包括氧化锰Mn3O4 60mol％；氧化镍Ni2O3 5mol％；氧化铜CuO15mol％；氧化镧La2O3 20mol％。其B值随温度的上升而升高，具有正B-T特性，且负温度系数α在温度宽达-100～150℃范围内，温度系数稳定在-4％～-2％。

主权项

一种热敏指数可变的负温度系数热敏电阻，包括热敏电阻芯片，所述热敏电阻芯片平行的上、下表面分别设有平行的上、下电极片的金属电极，所述热敏电阻芯片由生胚膜片叠层焙烧、轧膜挤压成型，所述生胚膜片由包括过渡金属氧化物混合粉料的浆料流延、烘干成型，其特征在于：所述生胚膜片包括高B值生胚膜片和低B值生胚膜片；所述高B值是B值至少为4500，所述低B值是B值至多为1500；所述高B值生胚膜片由包括以下组分及其摩尔(mol)百分比的过渡金属氧化物混合粉料制成：氧化锰Mn3O4  50mol％；氧化钴Co3O4  35mol％；氧化铝Al2O3  10mol％；氧化钛TiO2   5mol％；所述低B值生胚膜片由包括以下组分及其mol百分比的过渡金属氧化物混合粉料制成：氧化锰Mn3O4  60mol％；氧化镍Ni2O3  5mol％；氧化铜CuO    15mol％；氧化镧La2O3  20mol％；所述热敏电阻芯片由生胚膜片叠层，是按照两侧为所述高B值生胚膜片、中间为所述低B值生胚膜片的排列顺序、以与所述平行的上、下金属极片垂直角度叠层在所述平行的上、下金属极片之间，两侧的高B值生胚膜片的数量相同，中间的低B值生胚膜片的数量是所述高B值生胚膜片数量的1/(40～60)；所述叠层焙烧是在温度1100～1300℃下进行复合共烧结。