发明名称 |
基于导电基底的光电还原制备石墨烯薄膜的方法 |
摘要 |
一种无机纳米材料技术领域的基于导电基底的光电还原制备石墨烯薄膜的方法,通过在导电基底表面用氧化石墨烯溶液成膜作为对电极,以染料敏化半导体薄膜电极作为工作电极组装为染料敏化太阳电池,经光电化学还原反应后得到石墨烯薄膜。本发明工艺简单,容易实现大规模产业化生产,所制备的石墨烯薄膜原材料为碳,相对铂电极具有生产原料丰富、成本低廉的优点;本方法制备得到能带可控的石墨烯薄膜,与基底结合牢固,透光性能良好,催化活性高;可以替代高活性的铂对电极,直接作为染料敏化太阳电池的对电极,也可以作为其它电化学或光电化学相关电极元件,用于构建相应的电子器件。 |
申请公布号 |
CN102290251B |
申请公布日期 |
2012.11.07 |
申请号 |
CN201110199737.7 |
申请日期 |
2011.07.18 |
申请人 |
艾荻环境技术(上海)有限公司 |
发明人 |
蔡伟民;龙明策;陈晨 |
分类号 |
H01G9/04(2006.01)I;H01G9/20(2006.01)I;H01M14/00(2006.01)I;H01L51/48(2006.01)I |
主分类号 |
H01G9/04(2006.01)I |
代理机构 |
上海交达专利事务所 31201 |
代理人 |
王锡麟;王毓理 |
主权项 |
一种基于导电基底的光电还原制备石墨烯薄膜的方法,其特征在于,通过在导电基底表面用氧化石墨烯溶液成膜作为对电极,以染料敏化半导体薄膜电极作为工作电极组装为染料敏化太阳电池,经光电化学还原反应后得到石墨烯薄膜;所述的光电化学还原反应是指:将染料敏化太阳电池暴露在光照下并同时施加偏电压于工作电极和对电极之间,得到还原稳定的石墨烯对电极;所述的偏电压的电压值小于等于0.5V,施加时间为1分钟到48小时。 |
地址 |
200241 上海市闵行区东川路555号4号楼三层01A室 |