| 发明名称 | 超高密度功率沟槽式金属氧化物半导体场效应晶体管 | ||
| 摘要 | 一种方法，在一个实施例中，可包括在垂直金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的本体区中形成多个沟槽。另外，该方法可包括成角度地将源极区注入该本体区。而且，电介质材料可在该多个沟槽内生长。栅极多晶硅可在该多个沟槽内沉积。此外，该方法可包括化学机械抛光该栅极多晶硅。该方法还可包括回蚀在该多个沟槽内的栅极多晶硅。 | ||
| 申请公布号 | CN102770947A | 申请公布日期 | 2012.11.07 |
| 申请号 | CN201080055099.5 | 申请日期 | 2010.10.20 |
| 申请人 | 维西埃-硅化物公司 | 发明人 | R.Q.许;K-I.陈;K.里克滕伯格;S.史;Q.陈;K.特里尔 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 丁艺;沙捷 |
| 主权项 | 一种方法，包括：在垂直金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的本体区中形成多个沟槽；将源极区成角度地注入所述本体区中；使电介质材料在所述多个沟槽内生长；使栅极多晶硅在所述多个沟槽内沉积；化学机械抛光所述栅极多晶硅；以及回蚀在所述多个沟槽内的所述栅极多晶硅。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||