发明名称 |
具有高击穿电压的HEMT及其制造方法 |
摘要 |
本发明公开了一种HEMT,包括衬底、所述衬底上的缓冲层、所述缓冲层上的第一带隙材料层、所述第一带隙材料层上的第二带隙材料层、连接所述第一带隙材料层的源漏电极以及连接所述第二带隙材料层的栅电极,其特征在于:所述衬底为绝缘体衬底上的外延硅层,其中所述外延硅层生长在埋入衬底中的局部非晶态介质材料上。依照本发明的HEMT及其制造方法,由于器件形成在超薄的局部SOI衬底上,即便施加较高的源漏电压也难以在超薄的外延硅层中沿水平方向形成横向击穿,而在垂直方向由于非晶态的埋入绝缘层的阻断,纵向击穿也难以发生,因此依照本发明的HEMT可大幅提高器件的击穿电压,从而提高器件的可靠性。 |
申请公布号 |
CN102769033A |
申请公布日期 |
2012.11.07 |
申请号 |
CN201110116103.0 |
申请日期 |
2011.05.05 |
申请人 |
中国科学院微电子研究所 |
发明人 |
赵超;罗军;陈大鹏;叶甜春 |
分类号 |
H01L29/778(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/778(2006.01)I |
代理机构 |
北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 |
代理人 |
陈红 |
主权项 |
一种HEMT,包括衬底、所述衬底上的缓冲层、所述缓冲层上的第一带隙材料层、所述第一带隙材料层上的第二带隙材料层、连接所述第一带隙材料层的源漏电极以及连接所述第二带隙材料层的栅电极,其特征在于:所述衬底为绝缘体衬底上的外延硅层,其中所述外延硅层生长在埋入衬底中的局部非晶态介质材料上。 |
地址 |
100029 北京市朝阳区北土城西路3# |