发明名称 一种应用于EPON终端系统的数据缓存架构
摘要 一种应用于EPON终端系统的数据缓存架构,它包括一ONU中,使用内部双口SRAM作为数据缓存,SRAM的位宽匹配于内部数据的宽度;一缓存模块中,使用一些寄存器来统计缓存SRAM中,各服务等级的数据的总量,以用于ONU向OLT发送Report进行申请相应的带宽,也用于记录当前缓存SRAM消耗的总量,判断是否能够再存储后面来的数据;一缓存SRAM和辅助SRAM中,设置与服务等级相对应个数的地址指针,用于表示各服务等级的数据在缓存SRAM中和辅助SRAM中,存放的起始地址以及结束地址,本发明可分配各服务等级缓存容量的策略,引入一个指针SRAM来配合缓存SRAM的读写操作,提出一种灵活的数据缓存架构。
申请公布号 CN101883046B 申请公布日期 2012.11.07
申请号 CN201010206530.3 申请日期 2010.06.21
申请人 杭州开鼎科技有限公司 发明人 张宇;张文斌
分类号 H04L12/56(2006.01)I;H04Q11/00(2006.01)I 主分类号 H04L12/56(2006.01)I
代理机构 杭州九洲专利事务所有限公司 33101 代理人 翁霁明
主权项 一种应用于EPON终端系统的数据缓存架构,其特征在于它包括有:一ONU,其中使用内部双口SRAM作为数据缓存,且缓存SRAM的位宽匹配于内部数据的宽度;一缓存模块,其中使用一些寄存器来统计缓存SRAM中各服务等级的数据总量,以用于ONU向OLT发送Report进行申请相应的带宽,同时也用于记录当前缓存SRAM消耗的总量,判断是否能够再存储后面来的数据;所述ONU中,还使用一个双口的辅助SRAM来配合缓存SRAM,用于存储缓存SRAM中数据的等级、长度辅助信息,以便于再读取缓存SRAM;所述的缓存SRAM和辅助SRAM,其中设置与服务等级相对应个数的地址指针,用于表示各服务等级的数据在缓存SRAM中和辅助SRAM中存放的起始地址以及结束地址。
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