| 发明名称 | 非易失性存储元件和其制造方法、以及使用该非易失性存储元件的非易失性半导体装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供非易失性存储元件和其制造方法、以及使用该非易失性存储元件的非易失性半导体装置。该非易失性存储元件包括：第一电极(103)；第二电极(108)；和介于第一电极(103)与第二电极(107)之间，电阻值根据施加于两电极(103)、(108)间的电信号可逆地变化的电阻变化层(107)，该电阻变化层(107)至少具有叠层有第一含铪层和第二含铪层的叠层构造，该第一含铪层具有以HfOx(其中，0.9≤x≤1.6)表示的组成，该第二含铪层具有以HfOy(其中，1.8＜y＜2.0)表示的组成。 | ||
| 申请公布号 | CN101978496B | 申请公布日期 | 2012.11.07 |
| 申请号 | CN200980100360.6 | 申请日期 | 2009.07.01 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 三谷觉;神泽好彦;片山幸治;高木刚 |
| 分类号 | H01L27/10(2006.01)I;H01L45/00(2006.01)I;H01L49/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/10(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人 | 龙淳 |
| 主权项 | 一种非易失性存储元件，其包括：第一电极；第二电极；和介于所述第一电极与所述第二电极之间，电阻值根据施加于两电极间的电信号可逆地变化的电阻变化层，根据施加于所述第一电极与所述第二电极间的极性不同的电信号，所述第一电极与所述第二电极间的电阻值可逆地变化，其中，所述电阻变化层具有叠层有导电性的第二氧不足型的铪氧化物层和导电性的第一氧不足型的铪氧化物层的叠层构造，该第二氧不足型的铪氧化物层具有以HfOx表示的组成，该第一氧不足型的铪氧化物层具有以HfOy表示的组成，其中，0.9≤x≤1.6，1.8＜y＜2.0，所述第一氧不足型的铪氧化物层与所述第一电极或者所述第二电极的一方接触。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||