发明名称 |
BiCMOS工艺中的寄生垂直型PNP三极管及其制造方法 |
摘要 |
本发明公开了一种BiCMOS工艺中的寄生垂直型PNP三极管,包括:集电区、基区和发射区。集电区由有源区中的P型杂质离子注入层即NMOS的P阱构成,底部连接一形成于浅槽底部的P型导电区,通过P型导电区和集电区相邻的有源区的连接引出集电区。基区由集电区上部的N型杂质离子注入层即NMOS的NLDD构成,通过基区上部的N型多晶硅引出。发射区为形成于基区上部的P型外延层构成,并通过NPN管的非本征基区注入连接出去。本发明还公开了该BiCMOS工艺中的寄生垂直型PNP三极管的制造方法。本发明器件能用作高速、高增益BiCMOS电路中的输出器件、为电路提供多一种器件选择;本发明还能降低生产成本。 |
申请公布号 |
CN102097465B |
申请公布日期 |
2012.11.07 |
申请号 |
CN200910201947.8 |
申请日期 |
2009.12.15 |
申请人 |
上海华虹NEC电子有限公司 |
发明人 |
钱文生;胡君;刘冬华 |
分类号 |
H01L29/732(2006.01)I;H01L29/737(2006.01)I;H01L21/331(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/732(2006.01)I |
代理机构 |
上海浦一知识产权代理有限公司 31211 |
代理人 |
丁纪铁 |
主权项 |
一种BiCMOS工艺中的寄生垂直型PNP三极管,其特征在于,有源区由浅槽场氧隔离,包括:一集电区,由形成于第一有源区中的一P型杂质离子注入层构成,该P型杂质离子注入层为CMOS工艺中的NMOS的P阱,所述集电区底部连接一P型导电区,所述P型导电区为通过P型杂质离子注入形成于所述集电区两侧的浅槽底部的P型埋层,所述P型导电区还和第二个有源区相连,所述第二个有源区为和所述第一个有源区通过所述P型导电区所对应的沟槽相隔离的有源区,通过在所述第二个有源区形成P型杂质离子注入层并做金属接触引出所述集电区;一基区,由形成于所述集电区上部并和所述集电区连接的一N型杂质离子注入层即NMOS的NLDD注入层构成;一发射区,由所述基区上部的P型外延层即NPN晶体管的基区外延层构成,直接通过一金属接触引出;所述基区是通过形成于其上部的N型重掺杂多晶硅进行连接,并通过所述多晶硅上做金属接触引出所述基区。 |
地址 |
201206 上海市浦东新区川桥路1188号 |