一种有效判定铜扩散阻挡层阻挡能力的方法

摘要

本发明提供的一种有效判定铜扩散阻挡层阻挡能力的方法，包括以下步骤：在半导体器件介质层上形成接触孔和金属层所需的沟槽结构；沉淀阻挡层并在沟槽结构中淀积铜形成金氧半场效晶体管；步骤6，通过测量器件的电学特性是否符合预定标准，如是，阻挡层具有阻挡能力；如否，重新进行步骤4至6。本发明的方法比现有的方法更加有效的监控判定和评估。并能准确的对扩散阻挡层的质量和厚度进行有效的评估，从而对于Cu工艺的等比例缩小提供准确的数据。

主权项

一种有效判定铜扩散阻挡层阻挡能力的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1，在半导体器件上形成硅化物；步骤2，在半导体器件及硅化物上形成介质层；步骤3，在介质层上形成接触孔和金属层所需的沟槽结构；步骤4，在沟槽结构中沉淀阻挡层并在沟槽结构中淀积铜；步骤5，通过研磨成型接触孔和金属层层次，形成金氧半场效晶体管；步骤6，通过测量器件的电学特性是否符合预定标准，如是，阻挡层具有阻挡能力；如否，阻挡层不具有阻挡能力。