发明名称 |
成膜装置以及成膜方法 |
摘要 |
本申请提供了一种成膜装置,包括:腔室,在内部配置基板;靶,配置于腔室内,且包含用于形成覆膜的材料;基板支撑台,配置于腔室的内部;驱动单元,用于使基板支撑台旋转;溅射阴极,用于使溅射粒子从倾斜方向向基板入射;以及控制装置,用于规定旋转周期以使形成所希望膜厚的覆膜所需要的溅射成膜时间为基板支撑台的旋转周期的整数倍,并对驱动单元进行控制。 |
申请公布号 |
CN102770578A |
申请公布日期 |
2012.11.07 |
申请号 |
CN201180011047.2 |
申请日期 |
2011.06.30 |
申请人 |
株式会社爱发科 |
发明人 |
藤井佳词;中村真也 |
分类号 |
C23C14/34(2006.01)I;H01L21/203(2006.01)I;H01L21/285(2006.01)I |
主分类号 |
C23C14/34(2006.01)I |
代理机构 |
北京德琦知识产权代理有限公司 11018 |
代理人 |
张路;王琦 |
主权项 |
一种成膜装置,其特征在于,包括:腔室,在内部配置基板,所述基板适于通过溅射成膜来形成覆膜;靶,配置于所述腔室内,且包含用于形成所述覆膜的材料;基板支撑台,配置于所述腔室的内部;驱动单元,用于使所述基板支撑台旋转;溅射阴极,安装有所述靶,且用于使溅射粒子从倾斜方向向所述基板支撑台上的基板入射;以及控制装置,用于规定旋转周期以使溅射成膜时间为所述基板支撑台的旋转周期的整数倍,并对所述驱动单元进行控制,所述溅射成膜时间为形成所希望膜厚的覆膜所需要的溅射成膜时间,且为所述支撑台以规定的旋转周期进行旋转的溅射成膜时间。 |
地址 |
日本神奈川县 |