| 发明名称 | 一种抗辐射的CMOS器件及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种抗辐射的CMOS器件及其制备方法，属于CMOS集成电路技术领域。该CMOS器件包括衬底、源区、漏区以及位于衬底上的垂直沟道，在垂直沟道内增加一介质保护区一，该介质保护区一位于垂直沟道，将垂直沟道分为两部分，所述介质保护区一的高度等于垂直沟道长度，以有源硅台中轴线为中心，介质保护区一的边缘距离沟道外侧为20～100nm；同时在衬底上的源区或漏区的下方设有介质保护区二，该介质保护区二的长度与源区或漏区的长度相等，所述介质保护区二的高度为10～50nm。本发明由于增加介质保护区，可有效隔断器件源区和漏区收集电荷的路径，改善了器件的单粒子特性。 | ||
| 申请公布号 | CN102769016A | 申请公布日期 | 2012.11.07 |
| 申请号 | CN201210289276.7 | 申请日期 | 2012.08.14 |
| 申请人 | 北京大学 | 发明人 | 黄如;谭斐;安霞;武唯康;黄良喜 |
| 分类号 | H01L27/092(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L23/552(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/092(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11360 | 代理人 | 贾晓玲 |
| 主权项 | 一种CMOS器件，包括衬底、源区、漏区以及位于衬底上的垂直沟道，在垂直沟道的上方设有源区，所述漏区设置在衬底上位于垂直沟道的两侧；或者在垂直沟道的上方设有漏区，所述源区设置在衬底上位于垂直沟道的两侧；在垂直沟道的两侧设有栅介质和栅侧墙，其特征在于，在垂直沟道内增加一介质保护区一，该介质保护区一位于垂直沟道中央，将垂直沟道分为两部分，所述介质保护区一的高度等于垂直沟道长度，以有源硅台中轴线为中心，介质保护区一的边缘距离沟道外侧为20～100nm；同时在衬底上的源区或漏区的下方设有介质保护区二，该介质保护区二的长度与源区或漏区的长度相等，所述介质保护区二的高度为10～50nm。 | ||
| 地址 | 100871 北京市海淀区颐和园路5号 | ||