BiCMOS工艺中的寄生垂直型PNP器件

摘要

本发明公开了一种BiCMOS工艺中的寄生垂直型PNP器件，有源区由浅槽场氧隔离，包括：一集电区，由形成于有源区中的一P型杂质离子注入层构成，所述集电区底部连接一P型埋层，所述P型埋层是通过离子注入形成于所述集电区两侧的浅槽底部，通过在所述P型埋层顶部对应的浅槽场氧中制作深孔接触引出集电极；一基区，由形成于所述集电区上部并和所述集电区连接的一N型杂质离子注入层构成；一发射区，由形成于所述基区上部的一P型外延层构成，发射区直接通过一金属接触引出；所述基区上部的P型外延层部分反型为N型，用作所述基区的连接。本发明能用作BiCMOS高频电路中的输出器件，具有较小的面积和传导电阻。

主权项

一种BiCMOS工艺中的寄生垂直型PNP器件，其特征在于，有源区由浅槽场氧隔离，包括：一集电区，由形成于有源区中的一P型杂质离子注入层构成，集电极是通过一深孔接触引出，所述集电区底部连接一P型埋层，所述P型埋层是通过离子注入形成于所述集电区两侧的浅槽底部，所述P型埋层在退火过程中纵向和横向扩散进入到所述有源区中实现和所述集电区底部连接，所述P型赝埋层的顶部和所述浅槽场氧相接触，通过在所述P型埋层顶部对应的浅槽场氧中制作深孔并填入金属形成连接所述P型埋层的所述深孔接触；一基区，由形成于所述集电区上部并和所述集电区连接的一N型杂质离子注入层构成；该离子注入采用NMOS管的N型轻掺杂漏区注入来实现；一发射区，由形成于所述基区上部的一P型外延层构成，所述P型外延层为硅外延层、锗硅外延层或者锗硅碳外延层，该P型外延层采用P型掺杂的NPN三极管基区外延层工艺实现，所述发射区直接通过一金属接触引出；所述基区上部的P型外延层部分反型为N型，反型为N型的部分所述P型外延层形成N型外延层，该N型外延层用作所述基区的连接；在所述N型外延层上形成有N型的多晶硅层，该多晶硅层和一金属接触相连接引出所述基区；利用所述多晶硅层的N型杂质在多晶硅中的高温快速扩散特性，借助热退火推进杂质均匀分布整个多晶硅，而使所述P型外延层反型为所述N型外延层。