发明名称 |
检测井区注入离子在不同浓度条件下扩散能力的方法 |
摘要 |
本发明的一种检测井区注入离子在不同浓度条件下扩散能力的方法,包括以下步骤:步骤1,建立测试模块,所述模块上的活动区包括由浅沟道隔离隔开的P井区和N井区;步骤2,模拟制程结构,设置井区的钨连接孔;步骤3,进行离子注入,且只进行所述P井区或N井区的不同浓度离子注入;步骤4,对测试模块进行扫描,得到钨连接孔的明暗图。本发明为半导体器件的井区优化提供参考,为良率提升提供了保障,且方法简便易行。 |
申请公布号 |
CN102768968A |
申请公布日期 |
2012.11.07 |
申请号 |
CN201210225802.3 |
申请日期 |
2012.07.03 |
申请人 |
上海华力微电子有限公司 |
发明人 |
范荣伟;倪棋梁;龙吟;王恺;陈宏璘 |
分类号 |
H01L21/66(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/66(2006.01)I |
代理机构 |
上海新天专利代理有限公司 31213 |
代理人 |
王敏杰 |
主权项 |
一种检测井区注入离子在不同浓度条件下扩散能力的方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤1,建立测试模块,所述模块上的活动区包括由浅沟道隔离隔开的P井区和N井区;步骤2,模拟制程结构,设置井区的钨连接孔;步骤3,进行离子注入,且只进行所述P井区或N井区的不同浓度离子注入;步骤4,对测试模块进行扫描,得到钨连接孔的明暗图。 |
地址 |
201210 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号 |