具结终端扩展结构的功率半导体器件及该结构的制造方法

摘要

具结终端扩展结构的功率半导体器件及该结构的制造方法。本发明涉及一种结终端扩展结构的制造方法，包括下列步骤：在晶圆管芯的终端结构上进行主结光刻；对终端结构进行离子注入形成主结；在终端结构上进行扩展区光刻，主结的注入窗口位于扩展区的注入窗口内；对终端结构再次进行离子注入形成扩展区；对主结和扩展区进行扩散，扩散后的主结结深大于扩展区结深。本发明还涉及一种具有结终端扩展结构的功率半导体器件。本发明相对于传统技术减少了一次扩展区的扩散及表面氧化的步骤，能够节省成本，且因缩短了整个制造流程的总时间而提高了生产效率。同时由于减少了一次高温扩散的步骤，器件的可靠性得到进一步保障。

主权项

一种结终端扩展结构的制造方法，包括下列步骤：在晶圆管芯的终端结构上进行主结光刻，露出主结的注入窗口；通过所述主结的注入窗口对所述终端结构进行离子注入形成主结；在所述终端结构上进行扩展区光刻，形成扩展区的注入窗口；所述主结的注入窗口位于所述扩展区的注入窗口内；通过所述扩展区的注入窗口对所述终端结构再次进行离子注入形成扩展区；对所述主结和扩展区进行扩散，扩散后的主结结深大于扩散后的扩展区结深。