| 发明名称 | 一种改进的晶体硅电池正栅线电极结构 | ||
| 摘要 | 本实用新型涉及一种改进的晶体硅电池正栅线电极结构，包括:电池表面上的主栅线、副栅线区，其特征在于：所述副栅线区包括复数个副栅线回路，所述主栅线由交错排列的焊接段和栅线段组成，每个栅线段上沿其长度方向分布有多个镂空部。本实用新型的优点：结构简单，减少正电极覆盖在硅片上的面积，并有效地降低断栅的产生，提高太阳能电池片的转换效率；而且节省导电浆料，降低太阳能电池片制造成本。 | ||
| 申请公布号 | CN202523721U | 申请公布日期 | 2012.11.07 |
| 申请号 | CN201220081761.0 | 申请日期 | 2012.03.07 |
| 申请人 | 上海超日太阳能科技股份有限公司 | 发明人 | 高华;杨乐;张闻斌;李杏兵;石鑫 |
| 分类号 | H01L31/0224(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/0224(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海世贸专利代理有限责任公司 31128 | 代理人 | 叶克英 |
| 主权项 | 一种改进的晶体硅电池正栅线电极结构，包括:电池表面上的主栅线、副栅线区，其特征在于：所述副栅线区包括复数个副栅线回路，所述主栅线由交错排列的焊接段和栅线段组成，每个栅线段上沿其长度方向分布有多个镂空部。 | ||
| 地址 | 201406 上海市奉贤区南桥镇杨王经济园区旗港路738号 | ||