| 发明名称 | 一种适用于低下压力的硅晶片精抛光组合液及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种适用于低下压力的硅晶片精抛光组合液及其制备方法，属于化学机械抛光（CMP）领域，特别涉及一种适用于低下压力的硅晶片精抛光组合液。本发明包括胶体二氧化硅磨粒、抛光促进剂、抛光界面控制剂、表面活性剂、碱性化合物和去离子水；该精抛光组合液的pH值为8～12。本发明能够在低下压力条件下（0.2～0.5psi），实现高去除速率，同时获得低表面粗糙度，提高了抛光后硅晶片表面的精度和质量。本发明的精抛光组合液所用原料易得，无污染，符合环保要求且容易进行大规模工业化生产。 | ||
| 申请公布号 | CN102766408A | 申请公布日期 | 2012.11.07 |
| 申请号 | CN201210217759.6 | 申请日期 | 2012.06.28 |
| 申请人 | 深圳市力合材料有限公司;清华大学;深圳清华大学研究院 | 发明人 | 龚桦;顾忠华;邹春莉;陈高攀;潘国顺 |
| 分类号 | C09G1/02(2006.01)I | 主分类号 | C09G1/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人 | 廖元秋 |
| 主权项 | 一种适用于低下压力的硅晶片精抛光组合液，其特征在于，该精抛组合液包括胶体二氧化硅磨粒、抛光促进剂、抛光界面控制剂、表面活性剂、碱性化合物和去离子水；该精抛光组合液的pH值为8～12。 | ||
| 地址 | 518108 广东省深圳市南山区西丽南岗第二工业园九栋一楼 | ||