| 发明名称 | 一种大马士革工艺空气间隔的制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供的一种大马士革工艺空气间隔的制作方法，包括在基体上淀积第一介电层，刻蚀第一介电层以形成第一沟槽图案，淀积第一隔离层；去除第一沟槽底部的第一隔离层；在第一介电层和第一隔离层上形成第一铜互连线；去除第一隔离层，形成第一空气间隔；采用光刻工艺，在第一光刻胶上形成空气间隔；并刻蚀以在第一介电层上第一沟槽之间形成第二空气间隔。本发明的方法简便易行，在铜互连线的侧壁形成空气间隔，可有效的改善铜互连RC延迟问题。 | ||
| 申请公布号 | CN102768986A | 申请公布日期 | 2012.11.07 |
| 申请号 | CN201210228260.5 | 申请日期 | 2012.07.04 |
| 申请人 | 上海华力微电子有限公司 | 发明人 | 梁学文;陈玉文;胡友存;姬峰;李磊 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人 | 王敏杰 |
| 主权项 | 一种大马士革工艺空气间隔的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1，在基体上淀积第一介电层，刻蚀第一介电层以形成第一沟槽图案，淀积第一隔离层；步骤2，去除第一沟槽底部的第一隔离层；步骤3，在第一介电层和第一隔离层上形成第一铜互连线；步骤4，去除第一隔离层，形成第一空气间隔；步骤5，采用光刻工艺，在第一光刻胶上形成空气间隔；并刻蚀以在第一介电层上第一沟槽之间形成第二空气间隔。 | ||
| 地址 | 201210 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号 | ||