RB-SiC基底反射镜表面改性层结构及制备方法

摘要

本发明涉及一种RB-SiC基底反射镜表面改性层结构，该结构包括对RB-SiC基底表面Si相成分碳化后得到的SiC相成分，在RB-SiC基底SiC相成分与Si相成分碳化后得到的SiC相成分表面制备的类金刚石膜缓冲层，在类金刚石膜缓冲层上生长的均匀致密的Si改性层。本发明借助离子注入手段，首先将RB-SiC基底表面Si相成分碳化成SiC成分，然后再在SiC成分上生长一层类金刚石膜缓冲层，最后借助高能离子辅助手段在类金刚石膜缓冲层上生长Si改性层，Si改性层较为致密均匀，大大改善了其抛光特性，使抛光后基底表面的光学质量得到较大提升，为RB-SiC基底反射镜的空间应用提供了有力的保障。

主权项

一种RB‑SiC基底反射镜表面改性层结构，所述RB‑SiC为反应烧结SiC，该反应烧结SiC基底表面具有Si相成分和SiC相成分；其特征在于包括对RB‑SiC基底表面Si相成分碳化后得到的SiC相成分(2)，在RB‑SiC基底SiC相成分(12)与Si相成分(11)碳化后得到的SiC相成分(2)表面制备的类金刚石膜缓冲层(3)，在类金刚石膜缓冲层(3)上生长的均匀致密的Si改性层(4)。