| 发明名称 | 抛光液 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种用于抛光半导体集成电路的阻挡层的抛光液，所述抛光液包含：双季铵阳离子；腐蚀抑制剂；和胶体二氧化硅，其中所述抛光液的pH值在2.5至5.0的范围内。根据本发明，可以提供能够实现优异阻挡层抛光速率以及抑制由于固体磨料粒的聚集而引起擦伤的产生的抛光液。 | ||
| 申请公布号 | CN101255316B | 申请公布日期 | 2012.11.07 |
| 申请号 | CN200810009627.8 | 申请日期 | 2008.02.19 |
| 申请人 | 富士胶片株式会社 | 发明人 | 上村哲也;斋江俊之;吉川将 |
| 分类号 | H01L21/304(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/304(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 陈平 |
| 主权项 | 一种用于抛光半导体集成电路的阻挡层的抛光液，所述抛光液包含：双季铵阳离子；腐蚀抑制剂；和胶体二氧化硅，其中所述抛光液的pH值在2.5至5.0的范围内。 | ||
| 地址 | 日本国东京都 | ||