薄膜光电转换装置及其制造方法

摘要

本发明的目的在于改善含有结晶锗光电转换层的薄膜光电转换装置的开路电压、曲线因子、以及对于长波长光的光电转换效率。本发明的光电转换装置是在基板上依次配置第一电极层、一个以上的光电转换单元、以及第二电极层而成，光电转换单元在p型半导体层与n型半导体层之间具备光电转换层。至少一个光电转换单元的光电转换层是由实质上是本征或者弱n型且实质上不含硅原子的结晶锗半导体形成的结晶锗光电转换层。在p型半导体层与结晶锗光电转换层之间配置有实质上是本征的非晶硅半导体层的第一界面层。

主权项

一种薄膜光电转换装置，其特征在于，在基板上依次配置有第一电极层、一个以上的光电转换单元、以及第二电极层，光电转换单元在p型半导体层与n型半导体层之间具备光电转换层，至少一个光电转换单元是包含结晶锗光电转换层的结晶锗光电转换单元，结晶锗光电转换层由实质上是本征或者弱n型且实质上不含硅原子的结晶锗半导体形成，在结晶锗光电转换单元的p型半导体层与结晶锗光电转换层之间，配置有实质上是本征的非晶硅半导体层的第一界面层，第一界面层的膜厚是1nm～20nm。