| 发明名称 | 背面场型异质结太阳能电池及其制造方法 | ||
| 摘要 | 根据本发明的背面场型异质结太阳能电池包含第一导电型的晶体硅基板，设置在所述基板的上层中的所述第一导电型的半导体层，设置在所述基板的正面上的防反射膜，设置在所述基板的背面上的本征层，在所述本征层上重复交替布置的所述第一导电型的非晶半导体层和第二导电型的非晶半导体层，以及第一导电型电极和第二导电型电极，所述第一导电型电极和所述第二导电型电极分别设置在所述第一导电型的所述非晶半导体层上以及所述第二导电型的所述非晶半导体层上。 | ||
| 申请公布号 | CN102770973A | 申请公布日期 | 2012.11.07 |
| 申请号 | CN201080064247.X | 申请日期 | 2010.12.17 |
| 申请人 | 现代重工业株式会社 | 发明人 | 梁秀美;卢星奉;宋锡铉 |
| 分类号 | H01L31/0747(2012.01)I;H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/20(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/0747(2012.01)I |
| 代理机构 | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人 | 徐金国 |
| 主权项 | 一种背面场异质结太阳能电池，包括：第一导电晶体硅基板；设置在所述基板的上层的第一导电半导体层；设置在所述基板的正面上的防反射膜；设置在所述基板的背面上的本征层；在所述本征层上交替布置的第一导电非晶半导体层和第二导电非晶半导体层；和设置在所述第一导电非晶半导体层上的第一导电电极和设置在所述第二导电非晶半导体层上的第二导电电极。 | ||
| 地址 | 韩国蔚山广域市 | ||