| 发明名称 | 一种制备晶硅太阳电池局域背接触的方法 | ||
| 摘要 | 一种制备晶硅太阳电池局域背接触的方法，步骤如下：在晶硅衬底(1)背面淀积铝层(2)，利用阳极氧化将铝层(2)制成阳极氧化铝孔阵列(3)，生成的阳极氧化铝孔要贯穿整个铝层，之后在阳极氧化铝孔阵列(3)上淀积背接触电极(4)，并进行退火，使背接触电极(4)通过阳极氧化铝孔与晶硅衬底(1)形成欧姆接触。 | ||
| 申请公布号 | CN101359702B | 申请公布日期 | 2012.11.07 |
| 申请号 | CN200810119967.6 | 申请日期 | 2008.09.19 |
| 申请人 | 中国科学院电工研究所 | 发明人 | 赵雷;王文静 |
| 分类号 | H01L31/18(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京科迪生专利代理有限责任公司 11251 | 代理人 | 关玲;成金玉 |
| 主权项 | 一种制备晶硅太阳电池局域背接触的方法，其特征在于，制备步骤按顺序如下：(1)在晶硅衬底(1)背面淀积铝层(2)；(2)利用阳极氧化将铝层(2)制成阳极氧化铝孔阵列(3)，生成的阳极氧化铝孔贯穿整个铝层(2)；(3)在阳极氧化铝孔阵列(3)上淀积背接触电极(4)，并进行退火，使背接触电极(4)通过阳极氧化铝孔与晶硅衬底(1)形成欧姆接触。 | ||
| 地址 | 100080 北京市海淀区中关村北二条6号 | ||