一种高稳定性非晶硅/微晶硅叠层太阳电池及制备方法

摘要

一种高稳定性非晶硅/微晶硅叠层太阳电池，由衬底、透明导电膜、p型掺杂窗口层P1、非晶硅/微晶硅过渡区靠近非晶硅的本征层I1、n型掺杂层N1、p型掺杂窗口层P2、微晶硅本征层I2、n型掺杂层N2、ZnO层、金属Al层、EVA层、背板层依次组成叠层结构，其中P1-I1-N1非晶硅电池为顶电池，以P2-I2-N2微晶硅电池为底电池，并采用底电池电流限制结构。本发明优点是：在非晶硅/微晶硅过渡区靠近非晶硅制备的非晶硅材料，其光吸收系数和光敏性与常规非晶硅相近，由于在非晶网络中嵌入纳米硅晶粒，结构致密光衰退减小，并且采用底电池电流限制，匹配度好；该工艺制备过程简单，易于控制，电池的稳定性高。

主权项

一种高稳定性非晶硅/微晶硅叠层太阳电池，其特征在于：由衬底、透明导电膜TCO、p型掺杂窗口层P1、非晶硅/微晶硅过渡区靠近非晶硅的本征层I1、n型掺杂层N1、p型掺杂窗口层P2、微晶硅本征层I2、n型掺杂层N2、ZnO层、金属Al层、EVA层和背板层组成并依次组成叠层结构，其中以P1‑I1‑N1非晶硅电池作为叠层电池的顶电池，以P2‑I2‑N2微晶硅电池作为叠层电池的底电池且底电池为电流限制结构，以ZnO和Al作为复合背电极，所述底电池电流限制结构通过采用PECVD法制备的非晶硅顶电池的电流密度大于微晶硅底电池的电流密度5～20%而形成的。