扩散后单晶硅片次品返工方法

摘要

本发明公开一种扩散后单晶硅片次品返工方法，包括以下步骤：将扩散后的次品放入氢氟酸溶液中浸泡4～10min，去除扩散过程中形成的磷硅玻璃层，其中氢氟酸溶液中氢氟酸与水的体积比为1:4～10；用去离子水清洗，去除硅片表面残留的氢氟酸；然后放入热的NaOH溶液中浸泡2min～5min，以去除硅的表面扩散层，其中NaOH溶液的质量浓度为2%～10%，NaOH溶液的温度为60℃～80℃；再用H2O2溶液将硅片清洗干净，H2O2溶液中H2O2与水的体积比为1：4～10。本发明具有能降低生产成本，提高电池合格率的优点。

主权项

一种扩散后单晶硅片次品返工方法，其特征在于：包括以下步骤：（1）将扩散后的次品放入氢氟酸溶液中浸泡4～10min，去除扩散过程中形成的磷硅玻璃层，其中氢氟酸溶液中氢氟酸与水的体积比为1:4～10；（2）将步骤（1）浸泡后的硅片用去离子水清洗，去除硅片表面残留的氢氟酸；（3）将步骤（2）清洗后的硅片放入NaOH溶液中浸泡2min～5min，其中NaOH溶液的质量百分比浓度为2%～10%，NaOH溶液的温度为60℃～80℃，以去除硅的表面扩散层；（4）将步骤（3）浸泡后的硅片用H2O2溶液将硅片清洗干净，H2O2溶液中H2O2与水的体积比为1：4～10。