| 发明名称 | 制造包括凹型的晶体管的方法 | ||
| 摘要 | 一种制造晶体管的方法，其包括提供按顺序包括电传导材料层和电绝缘材料层的基底；在电绝缘材料层上沉积抗蚀剂材料层；使抗蚀剂材料层形成图案以暴露一部分电绝缘材料层；去除所暴露的电绝缘材料层以暴露一部分电传导材料层；去除所暴露的电传导材料层以在电传导材料层和电绝缘材料层中形成凹型；用第二电绝缘材料层共形涂覆基底和所暴露的材料层；用半导体材料层共形地涂覆第二电绝缘材料层；和在半导体材料层上定向沉积电传导材料层。 | ||
| 申请公布号 | CN102770948A | 申请公布日期 | 2012.11.07 |
| 申请号 | CN201180010989.9 | 申请日期 | 2011.02.23 |
| 申请人 | 伊斯曼柯达公司 | 发明人 | L·W·图特;S·F·奈尔森 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人 | 赵蓉民;张全信 |
| 主权项 | 一种制造晶体管的方法，所述方法包括：提供按顺序包括电传导材料层和电绝缘材料层的基底；在所述电绝缘材料层上沉积抗蚀剂材料层；使所述抗蚀剂材料层形成图案以暴露一部分所述电绝缘材料层；去除所暴露的电绝缘材料层以暴露一部分所述电传导材料层；去除所暴露的电传导材料层以在所述电传导材料层和所述电绝缘材料层中形成凹型；用第二电绝缘材料层共形地涂覆所述基底和所述暴露的材料层；用半导体材料层共形地涂覆所述第二电绝缘材料层；和在所述半导体材料层上定向沉积电传导材料层。 | ||
| 地址 | 美国,纽约州 | ||