一种GeTe₄相变记忆元件及制备方法

摘要

一种GeTe4相变记忆元件，选用GeTe4薄膜为相变记忆存储材料，所述GeTe4薄膜在室温下为非晶态；相变记忆元件的基本构型为三层结构，最上面一层为顶电极膜（1），中间一层为GeTe4薄膜（2），下面一层为底电极膜（3），由顶电极膜（1）和底电极膜（3）分别接出用铜丝或金丝制成引线；GeTe4薄膜（2）厚120±30纳米；三层结构制备相变记忆元件沉积在衬底（5）上。针对相变记忆存储器的发展，提供一种新型相变记忆材料GeTe4薄膜及其制备方法，得到GeTe4相变记忆元件。

主权项

一种GeTe4相变记忆元件，其特征是选用GeTe4薄膜为相变记忆存储材料，所述GeTe4薄膜在室温下为非晶态；相变记忆元件的基本构型为三层结构，最上面一层为顶电极膜（1），中间一层为GeTe4薄膜（2），下面一层为底电极膜（3），由顶电极膜（1）和底电极膜（3）分别接出用铜丝或金丝制成引线；GeTe4薄膜（2）厚120±30纳米；三层结构制备相变记忆元件沉积在衬底（5）上。