一种绝缘硅工艺上的正负压产生电路

摘要

本发明公开了一种在绝缘硅(SOI)工艺上的新型正负压产生电路。通过两个开关管、四个电容和几个二极管即可同时产生高于电源电压的正电压和低于地电压的负电压。该电路仅使用单相时钟。与现有的正电压和负电压的电路相比，本发明的电路结构简单，不需要双相非重叠时钟，有效节省芯片面积。

主权项

一种绝缘硅(SOI)工艺上的正负电压产生电路。该电路由NMOS和PMOS构成的反相器，两个传输电容、两个输出电容，以及二极管构成。由单相时钟控制反相器周期性的翻转，通过寄生二极管对传输电容充电。在产生正电压的部分电路中，电流由传输电容单向流到输出电容；在产生负电压的部分电路中，电流由输出电容单向流动到传输电容。该电路以较少的器件同时产生高于电源电压的正电压和低于地电平的负电压。