发明名称 | 带有绝缘埋层的衬底的表面处理方法 | ||
摘要 | 本发明提供了一种带有绝缘埋层的衬底的表面处理方法,包括如下步骤:提供一衬底,所述衬底包括支撑层、支撑层表面的绝缘埋层、及绝缘埋层表面的器件层;研磨减薄器件层的裸露表面;采用能够腐蚀器件层的自然氧化层的腐蚀液腐蚀研磨后的器件层表面;采用化学机械抛光工艺抛光腐蚀后的器件层表面。本发明通过采用能够腐蚀器件层的自然氧化层的腐蚀液腐蚀研磨后的器件层表面,除去自然氧化层,进而降低研磨后的CMP工艺对顶层硅总厚度均匀性偏差的影响,提高产品的厚度均匀性。 | ||
申请公布号 | CN102768949A | 申请公布日期 | 2012.11.07 |
申请号 | CN201210233323.6 | 申请日期 | 2012.07.06 |
申请人 | 上海新傲科技股份有限公司 | 发明人 | 魏星;曹共柏;张峰;王曦 |
分类号 | H01L21/302(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/302(2006.01)I |
代理机构 | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人 | 孙佳胤;翟羽 |
主权项 | 一种带有绝缘埋层的衬底的表面处理方法,其特征在于,包括如下步骤:提供一衬底,所述衬底包括支撑层、支撑层表面的绝缘埋层、及绝缘埋层表面的器件层;研磨减薄器件层的裸露表面;采用能够腐蚀器件层的自然氧化层的腐蚀液腐蚀研磨后的器件层表面;采用化学机械抛光工艺抛光腐蚀后的器件层表面。 | ||
地址 | 201821 上海市嘉定区普惠路200号 |