发明名称 |
一种压控振荡器 |
摘要 |
本实用新型公开一种压控振荡器,该压控振荡器包括电感电容并联谐振腔、尾电流源、PMOS交叉耦合对和NMOS交叉耦合对,电感电容并联谐振腔包括并联的电感、开关电容阵列和变容管阵列,电感电容并联谐振腔的两个输出端的平均电压、PMOS交叉耦合对与所述尾电流源之间的节点电压和/或地电平分别输入至所述变容管阵列。本实用新型通过以上技术方案,解决现有技术中采用开关电容阵列的压控振荡器的子调谐曲线上调谐增益变化较大的问题。 |
申请公布号 |
CN202524376U |
申请公布日期 |
2012.11.07 |
申请号 |
CN201120548783.9 |
申请日期 |
2011.12.23 |
申请人 |
国民技术股份有限公司 |
发明人 |
许建超;史爱焕 |
分类号 |
H03L7/099(2006.01)I |
主分类号 |
H03L7/099(2006.01)I |
代理机构 |
深圳鼎合诚知识产权代理有限公司 44281 |
代理人 |
薛祥辉 |
主权项 |
一种压控振荡器,其特征在于,包括电感电容并联谐振腔、尾电流源、PMOS交叉耦合对和NMOS交叉耦合对;所述电感电容并联谐振腔包括并联的电感、开关电容阵列和变容管阵列;所述PMOS交叉耦合对包括第一PMOS管和第二PMOS管;所述第一PMOS管和第二PMOS管的源极均接至所述尾电流源的输出端,所述第一PMOS管和第二PMOS管的漏极分别接至所述电感电容并联谐振腔的两个输出端;所述第一PMOS管和第二PMOS管的栅极分别接至所述电感电容并联谐振腔与其漏极连接相异的输出端;所述NMOS交叉耦合对包括第一NMOS管和第二NMOS管;所述第一NMOS管和第二NMOS管的源极均接至地电平,所述第一NMOS管和第二NMOS管的漏极分别接至所述电感电容并联谐振腔的两个输出端;所述第一NMOS管和第二NMOS管的栅极分别接至所述电感电容并联谐振腔与其漏极连接相异的输出端;所述电感电容并联谐振腔的两个输出端的平均电压、所述PMOS交叉耦合对与所述尾电流源之间的节点电压和/或所述地电平分别输入至所述变容管阵列。 |
地址 |
518057 广东省深圳市南山区高新技术产业园区深圳软件园3栋301、302 |