| 发明名称 | Ⅲ族氮化物半导体衬底 | ||
| 摘要 | 本发明提供高品质的Ⅲ族氮化物半导体衬底。本发明的Ⅲ族氮化物半导体衬底由Ⅲ族氮化物单晶构成，具有25.4mm以上直径和150μm以上厚度的衬底的外形尺寸的根据温度变化算出的线膨胀系数为α，所述衬底的晶格常数的根据温度变化算出的线膨胀系数为αL，将它们之间的差α-αL设为Δα，则Δα/α的值在0.1以下。 | ||
| 申请公布号 | CN101250752B | 申请公布日期 | 2012.11.07 |
| 申请号 | CN200710196096.3 | 申请日期 | 2007.12.03 |
| 申请人 | 日立电线株式会社 | 发明人 | 大岛佑一 |
| 分类号 | C30B29/38(2006.01)I;C30B25/18(2006.01)I;H01L33/00(2006.01)I;H01L21/205(2006.01)I | 主分类号 | C30B29/38(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人 | 钟晶 |
| 主权项 | 一种III族氮化物半导体衬底，其特征在于，所述衬底由III族氮化物单晶构成，将具有25.4mm以上直径和150μm以上厚度的所述衬底的外形尺寸的根据温度变化算出的线膨胀系数设为α，将所述衬底的晶格常数的根据温度变化算出的线膨胀系数设为αL，将它们之间的差α‑αL设为Δα，则C轴方向上Δα/α的值在0.1以下，所述衬底的主面与和主面平行度最高的晶格面所成角度的偏差在所述衬底的主面内是中心值±0.03度，所述衬底的具有刃状成分的位错密度是2×106cm‑2以下。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||