通过从等离子体沉积形成膜的方法和设备

摘要

公开一种从等离子体在衬底上沉积膜的设备。该设备包含罩壳，设置在该罩壳内的多个等离子体发生器单元以及同样在该罩壳内的用于支撑衬底的装置。每个等离子体发生器单元包含具有发射微波的末端的微波天线，设置在所述天线末端的区域中而且与其一起限定出电子回旋共振区域的磁体，在该电子回旋共振区域中可以生成等离子体，以及具有膜前体气体或等离子体气体出口的进气单元。设置该出口以使气体朝向从微波天线来看位于磁体之外的膜沉积区域，该出口位于位于热电子约束包络体之中或之上。

主权项

一种从等离子体在衬底上沉积膜的设备的用途，该设备包含罩壳，设置在该罩壳内的多个等离子体发生器单元以及同样在该罩壳内的用于支撑衬底的装置，每个等离子体发生器单元包含具有从其发射微波的末端的微波天线，设置在所述天线末端的区域中而且与其一起限定出电子回旋共振区域的磁体，在该电子回旋共振区域中可以通过分布式电子回旋共振生成等离子体，以及至少一个具有膜前体气体或等离子体气体出口的进气单元，该出口使气体朝向从微波天线来看位于磁体之外的膜沉积区域，该出口位于最靠近膜沉积区域的磁体的末端之上，并且因此位于热电子约束包络体之中或之上，所述热电子约束包络体是指其中捕集热一次电子的区域；其中该用途包括使用硅前体作为膜前体气体来形成无定形硅膜。