| 发明名称 | 氮化物系半导体元件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种氮化物系半导体发光元件及其制造方法。氮化物系半导体发光元件(100)包括：以m面(12)为表面的GaN基板(10)、在GaN基板(10)的m面(12)上形成的半导体叠层结构(20)、和在半导体叠层结构(20)上形成的电极(30)。电极(30)包含Mg层(32)、和形成在Mg层(32)上的Ag层(34)，Mg层(32)与半导体叠层结构(20)中的p型半导体区域的表面相接触。 | ||
| 申请公布号 | CN102007576B | 申请公布日期 | 2012.11.07 |
| 申请号 | CN201080001395.7 | 申请日期 | 2010.03.17 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 大屋满明;横川俊哉;山田笃志;矶崎瑛宏 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L33/32(2006.01)I;H01L33/40(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 汪惠民 |
| 主权项 | 一种氮化物系半导体元件，包括：氮化物系半导体叠层结构，其具有p型GaN‑系半导体区域，所述p型GaN‑系半导体区域的表面是m平面；以及电极，其设置在所述p型GaN‑系半导体区域上，所述p型GaN‑系半导体区域由AlxInyGazN半导体形成，其中，x+y+z＝1，x≥0、y≥0、z≥0；所述电极含有与所述p型GaN‑系半导体区域的所述表面相接触的Mg层、和形成在所述Mg层上的Ag层。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||