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一种高生长速率的P型GaN结构LED的制造方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：将衬底在氢气气氛里进行退火，清洁所述衬底表面，温度控制在1030‑1200℃之间，然后进行氮化处理；将温度下降到500‑650℃之间，生长20‑30 nm厚的低温GaN缓冲层，此生长过程中，生长压力控制在300‑760 Torr之间，Ⅴ/Ⅲ摩尔比在500‑3200之间；所述低温GaN缓冲层生长结束后，停止通入TMGa，将衬底温度升高至900‑1200℃之间，对所述低温GaN缓冲层原位进行热退火处理，退火时间在5‑30min之间；退火之后，将温度调节至1000‑1200℃之间，外延生长厚度为0.5‑2µm间的高温GaN缓冲层，生长压力在100‑500 Torr之间，Ⅴ/Ⅲ摩尔比在300‑3000之间；所述高温GaN缓冲层生长结束后，生长一层掺杂浓度稳定的N型GaN层，厚度在1.2‑4.2µm，生长温度在1000‑1200℃之间，压力在100‑600 Torr之间，Ⅴ/Ⅲ摩尔比在300‑3000之间；由2‑10个周期的InxGa1‑XN(0.04<x<0.4)/GaN 多量子阱组成浅量子阱，所述浅量子阱的厚度在2‑5nm之间，生长温度在700‑900℃之间，压力在100‑600 Torr之间，Ⅴ/Ⅲ摩尔比在300‑5000之间；由3‑15个周期的InyGa1‑yN(x<y<1)/GaN 多量子阱组成发光层多量子阱，所述发光层多量子阱中In的重量百分比在10%‑50%之间，所述发光层多量子阱的厚度在2‑5nm之间，生长温度在720‑820℃之间，压力在100‑500 Torr之间，Ⅴ/Ⅲ摩尔比在300‑5000之间；垒层厚度不变，所述厚度在10‑15nm之间，生长温度在820‑920℃之间，压力在100‑500 Torr之间，Ⅴ/Ⅲ摩尔比在300‑5000之间；所述发光层多量子阱生长结束后，生长厚度为100‑800nm之间的p型GaN层，生长温度在620‑820℃之间，生长时间在5‑35min之间，压力在100‑500 Torr之间，在所述生长P型GaN层的过程中，TMGa的摩尔流量为4.63×10‑4至1.40×10‑3摩尔每分钟，氨气的流量为20至80升每分钟；外延生长结束后，将反应室的温度降至650‑800℃之间，采用纯氮气氛围进行退火处理2‑15min，随后降至室温，即得。 |
