OTP器件及制备方法

摘要

本发明公开了一种OTP器件制备方法，包括以下步骤：1.在衬底上形成有效隔离的阱区和场区；2.在有源区上方形成栅氧层，在栅氧层上形成多晶硅，并刻蚀形成晶体管多晶硅浮栅；3.在有源区先进行轻掺杂渗漏注入；4.在晶体管部分的有源区进行低能高剂量的注入；5.在多晶硅栅极侧面形成多晶硅侧墙，然后利用离子注入工艺形成NMOS/PMOS晶体管的有源区。本发明还公开了一种OTP器件，耦合电容部分的P+有源区与N+有源区在多晶硅浮栅下方。本发明能够编程效率的提高，并有效减小存储面积。

主权项

一种OTP器件制备方法，其特征在于，包括以下步骤：1)在衬底上形成有效隔离的阱区和场区；在形成OTP器件的晶体管的区域的所述阱区为P型阱区，在形成所述OTP器件的耦合电容的区域的所述阱区为N型阱区；2)在有源区上方形成栅氧层，在栅氧层上形成多晶硅，并刻蚀所述多晶硅形成所述晶体管的多晶硅浮栅以及所述耦合电容的多晶硅浮栅；所述晶体管的多晶硅浮栅和所述耦合电容的多晶硅浮栅连接在一起形成一耦合结构；3)在有源区先进行轻掺杂渗漏注入，所述轻掺杂渗漏注入的区域为所述晶体管的多晶硅浮栅两侧的有源区和所述耦合电容的多晶硅浮栅两侧的有源区中；4)在所述晶体管的多晶硅浮栅两侧的有源区中进行低能高剂量的注入，所述晶体管的低能高剂量的注入的区域和所述轻掺杂渗漏注入区域相同；所述耦合电容的多晶硅浮栅两侧的有源区中不进行低能高剂量的注入；5)在所述晶体管的多晶硅浮栅和所述耦合电容的多晶硅浮栅的侧面形成侧墙，然后利用离子注入工艺形成NMOS/PMOS晶体管的源漏区；其中所述晶体管的源漏区采用NMOS晶体管的源漏区、都为N型掺杂；所述耦合电容的第一个源漏区采用NMOS晶体管的源漏区、该第一个源漏区为N+有源区，所述耦合电容的第二个源漏区采用PMOS晶体管的源漏区、该第二个源漏区为P+有源区。